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笔者注：据韩媒和台媒在内的多个报道，武汉东湖高新区，长江存储三期项目工地的塔吊之间，洁净厂房设备已开始安装，这家中国最大的NAND Flash制造商正以前所未有的速度向2026年下半年量产目标冲刺。这一超常速度的背后，是长存对NAND Flash市场“超级周期”的战略布局，也是中国在全球半导体竞争中加快步伐的缩影。
建设大提速
长江存储武汉三期项目于2025年9月才正式动工，按照常规半导体建厂周期，本应等到2027年才能具备正式量产能力。
然而，来自设备缠上的消息显示，长江存储近期已开始密集进行NAND Flash生产设备采购订单发送与工厂启动设置作业，进度已大幅调整。
从动工到开始量产仅历时约一年，这在半导体行业中极为罕见。
消息人士分析指出，这意味着长江存储采取了加速的策略，即在工厂主体建筑尚未完全完工的情况下，就同步搬入部分设备并进行生产线的早期调试与运作。
扩大市场占有率的绝佳时刻
急速扩张背后，是长江存储为了在NAND Flash市场迎接“超级周期”时，强化自身的全球竞争优势布局。长江存储将2026年视为扩大NAND Flash市场占有率的黄金时刻。其战略判断源于电子与SK海力士2026年将主要资源与重心倾斜至利润更高的DRAM以及AI专用的HBM领域。据市场研究机构Counterpoint Research统计，以NAND出货量为基准，长江存储的全球市占率在2025年第一季首度突破10%大关。随后的成长趋势不减，至2025年第三季，其市占率已攀升至13%，较前一年同期大幅增长了4个百分点。
生产技术突破
在技术层面，长江存储在NAND Flash的生产技术实力上已取得显著进步。数据显示，长江存储目前已掌握270层3D NAND Flash的生产技术。虽然与三星电子的286层及SK海力士的321层技术相比仍有差距，但这一差距正在快速缩小。
更关键的是，受益于长期资本投入以及积极延揽外部专家，长江存储在生产良率与稳定性方面获得了高度评价，被认为已具备与全球领先企业一较高下的实力。研究公司Omdia估计，2025年长江存储的资本支出比全球同行更为积极，约占全球NAND闪存总投资的20%，预计还将继续加速增长。
市场竞争格局
全球NAND Flash市场主要参与者包括三星电子、SK海力士、美光、铠侠和长江存储。从技术和市场两个维度，我们可以更清晰地看到长江存储当前的地位和追赶目标：
从数据上来看，如果长存扩建能按计划按期完成的话，按产能计算，长江存储明年可能获得超过20%的全球市占，极有可能超越SK Hynix，美光和铠侠成为全球第二大NAND生产厂商。
资本局的变化
长江存储三期项目公司主体：长存三期（武汉）集成电路有限责任公司成立于2025年9月5日，注册资本207.2亿元，法定代表人为长江存储董事长陈南翔。股东信息显示，长存三期由长江存储持股50.19%、湖北长晟三期投资发展有限责任公司持股49.81%。湖北长晟三期成立于2025年9月2日，由光谷金控、江城基金、长江产投按40%、40%、20%的比例共同持有，这三者分别代表了湖北省，市，区的国资力量。长存三期的加速，是中国半导体产业在极端外部环境下，通过优化工程管理和资本效率实现的极限求生与主动出击。如果2026年下半年能够如期启动量产，武汉将真正成为全球存储芯片版图上不可忽视的一极。
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